抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 著岸浩史

統計的相関，力学的相関のため，金属中の電子はその周りに正孔を伴って運動している．金属から真空中へ電子を取り出そうとすると，この正孔が抵抗する．仕事関数の主な原因である．それでも，電子を取り出してしまうと，正孔が取り残される．これと電子間に鏡像力が働く．金属と真空との境界近傍の一つの現象である． 　 絶縁体の電子の運動は，どうか．価電子帯の電子は正孔を伴っているのでエネルギーが低いが，伝導体の電子の周りには正孔がないのでエネルギーが高くなる．この差がバンドギャップの主な原因である．このような絶縁体と金属との境界付近では，金属電子が絶縁体の価電子帯の正孔を遮蔽するので，バンドギャップを消失する．界面近傍で見られる金属・絶縁体転移である． 　 　 このように，異なる物質の境界では，電子状態の多様性を見出すことができる．物質を構成する原子も境界近傍では，多様な振舞いを見せる．ここで取り上げる抵抗変化メモリでは，このような電子・原子の多様性をうまく利用しようとしている． 　 本著では，計算機マテリアルデザイン（CMDR）による先端研究事例Ⅱとして，抵抗変化メモリの知的材料設計をとりあげ，絶縁体のバンドギャップの変化や異なる物質の境界（電極／遷移金属酸化物界面）における電子・原子の状態変化が，どのようにデバイスの動作に結び付くのかについて紹介する．読者の皆様には，電子・原子といった微細なスケールから物理現象を明らかにし，デバイスをデザインする面白さを実感して頂きたい． （本書はじめにより）

出版社

大阪大学出版会

発売日

2012-09-25

ページ数

78ページ

ISBN

9784872592559